| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 6.1A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2085pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP，MicroFET? | 供应商设备封装 | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMB668PTR |
