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  • FDMC2610

FDMC2610

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.6916
  • 6000$0.65702
  • 15000$0.63232
  • 30000$0.61256
  • 75000$0.5928
描述MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 2.2A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds960pF @ 100V
功率 - 最大2.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN供应商设备封装8-Power33(3x3)
包装带卷 (TR)其它名称FDMC2610TR

“FDMC2610”电子资讯

  • 飞兆半导体功率开关FDMC2610具最佳的FOM值和热阻

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)最新推出功率开关fdmc2610,该产品为采用超紧凑型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,可提高系统效率和节省线路板空间。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体的ultrafet器件除了能提供比市场上同类型封装mlp器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较dc/dc转换器设计常用的so-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小mosfet的占位面积及增强封装热容量,以便设 ...

  • 飞兆半导体推出采用3x3平方毫米MLP封装的UltraFET系列器件

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案,日前推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (mlp) 的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc) 和最低的导通阻抗 (200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数 (fom) 降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳 (3c/w 比 25c/w) 的热阻 (theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench? 工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升 ...

  • 飞兆推出采用3x3平方毫米MLP封装的UltraFET系列器件

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (mlp) 的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc) 和最低的导通阻抗 (200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数 (fom) 降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳 (3c/w 比 25c/w) 的热阻 (theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench® 工艺的 ...

  • 飞兆半导体为DC/DC应用推出MLP封装的UltraFET系列器件

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nc对比4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w比25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升ultraf ...

  • 飞兆半导体为DC/DC应用推出MLP封装器件

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nc对比4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w比25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升ultrafet产品系列的性能。 ...

“FDMC2610”技术资料

  • 飞兆新推出最佳FOM值和热阻的功率开关FDMC2610

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)最新推出功率开关fdmc2610,该产品为采用超紧凑型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,可提高系统效率和节省线路板空间。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体的ultrafet器件除了能提供比市场上同类型封装mlp器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较dc/dc转换器设计常用的so-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小mosfet的占位面积及增强封装热容量,以便设计出更小型,更高 ...

  • 飞兆半导体功率开关FDMC2610具最佳的FOM值和热阻

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)最新推出功率开关fdmc2610,该产品为采用超紧凑型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,可提高系统效率和节省线路板空间。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体的ultrafet器件除了能提供比市场上同类型封装mlp器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较dc/dc转换器设计常用的so-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小mosfet的占位面积及增强封装热容量,以便设计出更小型, ...

  • 飞兆半导体为DC/DC应用推出MLP封装的UltraFET系列器件

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nc对比4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w比25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升ultrafet产品系列的性能。这些产品经 ...

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