描述 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 2.2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 960pF @ 100V |
功率 - 最大 | 2.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 供应商设备封装 | 8-Power33(3x3) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMC2610TR |
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)最新推出功率开关fdmc2610,该产品为采用超紧凑型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,可提高系统效率和节省线路板空间。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体的ultrafet器件除了能提供比市场上同类型封装mlp器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较dc/dc转换器设计常用的so-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小mosfet的占位面积及增强封装热容量,以便设 ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案,日前推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (mlp) 的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc) 和最低的导通阻抗 (200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数 (fom) 降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳 (3c/w 比 25c/w) 的热阻 (theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench? 工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升 ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (mlp) 的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc) 和最低的导通阻抗 (200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数 (fom) 降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳 (3c/w 比 25c/w) 的热阻 (theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench® 工艺的 ...
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nc对比4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w比25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升ultrafet产品系列的性能。 ...
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)最新推出功率开关fdmc2610,该产品为采用超紧凑型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,可提高系统效率和节省线路板空间。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nc对比 4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体的ultrafet器件除了能提供比市场上同类型封装mlp器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较dc/dc转换器设计常用的so-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小mosfet的占位面积及增强封装热容量,以便设计出更小型, ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220v n沟道ultrafet器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 与市场上类似的200v mlp 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nc对比4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%,并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w比25c/w)的热阻(theta jc),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。 飞兆半导体通信应用部市场发展经理mike speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp 3x3功率开关产品。我们将powertrench工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升ultrafet产品系列的性能。这些产品经 ...
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