描述 | FET -60V 100.0 MOHM MLP33 | FET 类型 | P 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A(Ta),13.5A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 5.7A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 20 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1055 pF @ 30 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),42W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
【Fairchild Semiconductor】FDMC6296,MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDMC6675BZ,MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC6675BZ_F125,MOSFET -30V P-CH PwrTrench
【Fairchild Semiconductor】FDMC6675BZ_F126,MOSFET -30V P-CH PwrTrench
【Fairchild Semiconductor】FDMC6675BZ_F127,MOSFET -30V P-CH PwrTrench