描述 | MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN | FET 类型 | P 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Ta),56A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4m? @ 18A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 122 nC @ 4.5 V | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13200 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta),40W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
【Fairchild Semiconductor】FDMC6890NZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC7208S,MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDMC7570S,MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC7572S,MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC7582,MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN