描述 | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 9.6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1230pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 供应商设备封装 | 8-Power33(3x3) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMC8878TR |
【Fairchild Semiconductor】FDMC8878_F126,MOSFET 30V N-CHAN 9.6A
【Fairchild Semiconductor】FDMC8878_F127,MOSFET 30V N-CHAN 9.6A
【Fairchild Semiconductor】FDMC8878_NBSE003,MOSFET 30V N-CH PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDMC8882_F126,MOSFET 30V N-CHAN 10.5A
【Fairchild Semiconductor】FDMC8884,MOSFET N-CH 30V 9A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC8884_F126,MOSFET 30V N-CHAN 9A 19mOhm