| 描述 | MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 66A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.7 毫欧 @ 16A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 73nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5330pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 39W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power 5x6 |
【Fairchild Semiconductor】FDME1023PZT,MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDME1024NZT,MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDME1034CZT,MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDME410NZT,MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDME510PZT,MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDME820NZT,MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET