| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.9A SC75 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 112 毫欧 @ 2.9A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 700mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75 | 供应商设备封装 | SC-75 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMJ1023PZTR |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench 技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： -节省空间，因为这些mic ...
飞兆半导体推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： 节省空间，因为这些microfet开关较采用sc-70封装的 ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： ·节省空间，因为这些m ...
据日经bp社报道，美国飞兆半导体（fairchild semiconductor）推出了封装尺寸仅为2.0mm×1.6mm的功率开关“fdmj1023pz”以及“fdfmj2p023z”。适用于手机、数码相机及便携式游戏机之类小型设备的充电电路以及dc-dc转换器等。 新产品采用相当于sc-75的封装，外形尺寸为2.0mm×1.6mm。比3mm×3mm的ssot-6封装小了65％，比sc-70封装小了20％。当栅极驱动电压为1.5v。源-漏极间电压为-2.5v时，导通电阻为160mω，比以前产品降低了约75％。热阻抗为89℃/w，比以前产品降低了66％。 价格方面，批量购买1000件时，fdmj1023pz为0.51美元，fdfmj2p023z为0.48美元。 ...
fairchild推出两款microfet电源开关fdmj1023pz和fdfmj2p23z，可以用于低功耗（<30v）的应用，如充电、异步dc/dc以及负载开关中。这两款电源开关可以工作在低至1.5v的栅电压。通过利用fairchild先进的powertrench技术，fdmj1023pz和fdfmj2p023z封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，比3 x 3mm ssot-6小65％，比sc-70封装小20％。 这两个2.0mm x 1.6mm microfet电源开关的优点是它们可以提供与3mm x 3mm ssot-6封装相同的电源开关相当的热和电特性。对于那些将越来越多功能集成到越来越小pcb空间的便携式应用，如蜂窝电话、数码相机和游戏机等，在一个极其紧凑的封装中提供优化的性能成为关键。此外，这些应用同样也可以从这两个芯片有保障的低至1.5v工作电压中获得好处。 fdmj1023pz和 fdfmj2p023z：1． 由于这两个microfet电源开关比sc-70封装的电源开关小20％，因此它们可以节约空间。2． 有保障的低至1.5v的工作电压满足了便携应用的需求。3． 优 ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm×1.6mm sc-75，较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm×1.6mm sc-75，较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： - 节省空 ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm×1.6mm sc-75，较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fd ...
