| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.25 毫欧 @ 19A，10V，920μOhm @ 38A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 320μA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 30nC @ 10V，104nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 13V，5105pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
