| 描述 | PT11N 30/12 & PT11N 30/12 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.25 毫欧 @ 19A，10V，0.97 毫欧 @ 37A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 320μA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 33nC @ 10V，117nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1410pF @ 15V，4860pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
【Fairchild Semiconductor】FDMS2380,IC SOLENOID DRIVER DUAL 18QFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS2504SDC,MOSFET N-CH 25V 42A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS2506SDC,MOSFET N-CH 25V 39A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS2508SDC,MOSFET N-CH 25V 34A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS2510SDC,MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
