| 描述 | MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 163A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 28A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 88 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6540 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6），Power56 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD，扁平引线 |
【Fairchild Semiconductor】FDMS3006SDC,MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3008SDC,MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3016DC,MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3500,MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS3572,MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS3600S,MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN
