描述 | MOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N 沟道(双)非对称型 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.5A,30A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 17.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 26nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1570pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | Power56 |
【Fairchild Semiconductor】FDMS3615S,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3616S,MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS3620S,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3622S,MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDMS3624S,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3626S,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN