| 描述 | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 13A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.7V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 供应商设备封装 | Power56 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMS3660SFSTR |
【Fairchild Semiconductor】FDMS3662,MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS3664S,MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3668S,MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3672,MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
【Fairchild Semiconductor】FDMS3686S,MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN