描述 | MOSFET 2N-CH 30V POWER56 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A,40A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 毫欧 @ 12A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 28nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1750pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PQFN,Power56 | 供应商设备封装 | Power56 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMS7600ASTR |
【Fairchild Semiconductor】FDMS7602S,MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS7606,MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDMS7608S,MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS7620S,MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS7650DC,MOSFET N-CH 30V 47A POWER56