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FDMS86101DC

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.0125
描述MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFNFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 14.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3135pF @ 50V
功率 - 最大3.2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘供应商设备封装8-PQFN(5x6)
包装带卷 (TR)

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