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  • FDMS8670S

FDMS8670S

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.5866
  • 6000$0.55727
  • 15000$0.53632
  • 30000$0.51956
  • 75000$0.5028
描述MOSFET N-CH 30V 20A POWER56FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 15V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PQFN,Power56
供应商设备封装Power56包装带卷 (TR)
其它名称FDMS8670STR

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