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FDN335N_Q

描述MOSFET SSOT-3 N-CH 20V电阻汲极/源极 RDS(导通)0.07 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-3
封装Reel下降时间8.5 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)7 S最小工作温度- 55 C
功率耗散0.5 W上升时间8.5 ns
典型关闭延迟时间11 ns

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