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  • FDN8601

FDN8601

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.35
描述MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOTFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C109 毫欧 @ 1.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds210pF @ 50V
功率 - 最大600mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装3-SSOT
包装带卷 (TR)

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