| 描述 | MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 3.2 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 24 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 169 S | 栅极电荷 Qg | 102 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 231 W |
| 上升时间 | 40 ns | 工厂包装数量 | 400 |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDP045N10A,MSOFET N-CH 100V TO-220-3
【Fairchild Semiconductor】FDP045N10A_F102,MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDP047AN08A0,MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP047AN08A0_F102,MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
【Fairchild Semiconductor】FDP047N08,MOSFET N-CH 75V 164A TO-220