描述 | MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 164A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.7 欧姆 @ 80A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 152 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 9415 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 268W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FDP047N10,MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP050AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP050AN06A0_F085,MOSFET N-Chan PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP050AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP054N10,MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
【Fairchild Semiconductor】FDP060AN08A0,MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP060AN08A0_Q,MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V