| 描述 | MOSFET Single N-Ch 60V Power Trench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0128 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 50 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 125 W |
| 上升时间 | 169 ns | 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDP14N60,MOSFET 14a 600V N-Ch SPMS 0.490 Ohm
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10,MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10A,MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10A_F102,MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
【Fairchild Semiconductor】FDP15N40,MOSFET N-CH 400V 15A TO-220