| 描述 | MOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 16 m Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 17 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 310 W |
| 上升时间 | 30 ns | 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDP2552,MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP2552_Q,MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
【Fairchild Semiconductor】FDP2570,MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP2570_Q,MOSFET TO-220 N-CH 150V 22A
【Fairchild Semiconductor】FDP2572,MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP2572_Q,MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A
【Fairchild Semiconductor】FDP2614,MOSFET N-CH 200V 62A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP2670,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB