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FDP2670_Q

描述MOSFET 200V NCh PowerTrench漏极连续电流19 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.13 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间23 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)24 S
最小工作温度- 65 C功率耗散93 W
上升时间5 ns典型关闭延迟时间26 ns

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