| 描述 | MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 7.5 m Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 46 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 310 W |
| 上升时间 | 39 ns | 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDP3651U,MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3652,MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3652_Q,MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
【Fairchild Semiconductor】FDP3672,MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3682,MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3682_Q,MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDP39N20,MOSFET N-CH 200V 39A TO-220