描述 | MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 32A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 16A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1120pF @ 25V |
功率 - 最大 | 58W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDP5690_Q,MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP5N50NZ,MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
【Fairchild Semiconductor】FDP5N60NZ,MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
【Fairchild Semiconductor】FDP6030BL,MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP6030BL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level