| 描述 | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | 漏极连续电流 | 80 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 6.5 m Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 15 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 115 S |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 68 W |
| 上升时间 | 12 ns | 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDP6670S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDP6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP6690S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP7030BL,MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP7030BL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDP7030L,MOSFET N-CH 30V 80A TO-220