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FDP8030L_Q

描述MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0035 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220AB
封装Tube下降时间200 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)170 S最小工作温度- 65 C
功率耗散187 W上升时间185 ns
典型关闭延迟时间160 ns

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