| 描述 | MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 80A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10000 pF @ 40 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FDP8860,MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP8870,MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP8870_F085,MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP8874,MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP8878,MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP8880,MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB