| 描述 | PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta），20A（Tc），27A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 13A，10V，1.8 毫欧 @ 27A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250μA，2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 19nC @ 10V，64nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1240pF @ 13V，4335pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 800mW（Ta），900mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | Powerclip-33 |
