| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A，15A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1324pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1.3W，1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）11 引线，熔断式引线 |
| 供应商设备封装 | 14-SOIC | 包装 | 带卷 (TR) |
