| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2010pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 | 供应商设备封装 | 8-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDR858P-NDFDR858PTR |
