| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS2572TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS2572_Q,MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS2582,MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2582_Q,MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS2672,MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2672_F085,MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH
