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  • FDS3912

FDS3912

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH DUAL 100V 3A 8SOICFET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds632pF @ 50V功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)

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