| 描述 | MOSFET SO-8 N-CH 30V | 漏极连续电流 | 13 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.008 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 13 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 55 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 13 ns | 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6670AS,MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6672A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6673AZ,MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6673BZ,MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6673BZ_F085,MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
