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  • FDS6898AZ_F085

FDS6898AZ_F085

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.837
  • 5000$0.806
  • 12500$0.775
  • 25000$0.7626
  • 62500$0.744
描述MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 9.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1821pF @ 10V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称FDS6898AZ_F085TR

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