描述 | MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 9.4A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1821pF @ 10V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS6898AZ_F085TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6900AS,MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6900S,MOSFET Dual NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS6910,MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6911,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6912,MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6912A,MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC