| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.5A，7.9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 29 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 720pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS6986AS-NDFDS6986ASTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6986AS_NBBD005,MOSFET 30V Dual SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDS6990A,MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6990A_D84Z,MOSFET S0-8 DUAL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6990A_Q,MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6990AS,MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC