您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fds7066n3
  • FDS7066N3

FDS7066N3

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 23A 8SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 23A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs69nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds4973pF @ 15V
功率 - 最大1.7W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘供应商设备封装8-SOIC
包装带卷 (TR)

fds7066n3的相关型号: