描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 18A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3845pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDS7788_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS8333C,MOSFET N/P-CH 30V 4.1/3.4A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8333C_Q,MOSFET N & PCh PowerTrench 3V
【Fairchild Semiconductor】FDS8447,MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8449,MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8449_F085,MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC