| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.2 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 112nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4615pF @ 15V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS8870-NDFDS8870FSTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8876,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8876_F123,MOSFET 30V N-CHAN 12.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8878,MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8878_F123,MOSFET 30V N-CHAN 10.2A
【Fairchild Semiconductor】FDS8880,MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8880_F123,MOSFET 30V N-CHAN 11.6A