您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fds8884
  • FDS8884

FDS8884

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.20414
  • 5000$0.19097
  • 12500$0.1778
  • 25000$0.16858
  • 62500$0.16462
描述MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 8.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds635pF @ 15V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称FDS8884TR

fds8884的相关型号: