描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 7.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 907pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8978-NDFDS8978TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8978_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8984,MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F085,MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7A 23mOhm
【Fairchild Semiconductor】FDS9400A,MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC