描述 | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 105毫欧 @ 2.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 30V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |