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  • FDT86246

FDT86246

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.42
描述MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C236 毫欧 @ 2A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds215pF @ 75V
功率 - 最大1W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)

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