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  • FDU068AN03L

FDU068AN03L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 35A I-PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2525pF @ 15V功率 - 最大80W
安装类型通孔封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装I-Pak包装管件

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