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  • FDU8770

FDU8770

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 35A I-PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 35A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3720pF @ 13V
功率 - 最大115W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

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