您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fdu8896_q

FDU8896_Q

描述MOSFET 30V N-Channel PowerTrench漏极连续电流94 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0057 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-251封装Tube
下降时间41 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散80 W上升时间106 ns
典型关闭延迟时间53 ns

fdu8896_q的相关型号: