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  • FDV303N_NB9U008

FDV303N_NB9U008

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C680mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 500mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
功率 - 最大350mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23
包装带卷 (TR)

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