| 描述 | MOSFET N/P-CH COMP 20V 8TSSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A，4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1325pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 600mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDW2520CTR |
，我想用骚扰一词不太为过把，而且这个也严重影响了电源和地波形。。。。 对于谐振一说，可是如何解释换了l和c后，叠加的15v脉冲无任何明显变化呢？而且该二极管在常温下导通电压才0.3v，将该二极管换为导通电压为0.6v（常温）的1n4007后，15v脉冲几乎完全消失，谐振的话，更改l和c的大小应该有明显变化的。。。所以，我还是有所疑惑 如果说是由于2管间的寄生电容不一样而导致谐振，我也不大同意，更改l和c的大小却没有任何明显影响无疑是反对谐振说法的最明显证据把~~ pmos和nmos是选用fdw2520c，在一块芯片内集成，导通电压为0.4-1.5v。。 这个问题是1年前碰到的，当时最后判断依据就是由于二极管，l，c以及p管的容性负载不匹配而导致，现在再回顾下，或许有漏洞。 ...
