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  • FDW262P_Q

FDW262P_Q

描述MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench漏极连续电流- 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.047 Ohms配置Single Triple Drain Quad Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
下降时间9 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)16 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.3 W
上升时间9 ns典型关闭延迟时间36 ns

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