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  • FDY2001PZ

FDY2001PZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563FFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 欧姆 @ 150mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs1.4nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds100pF @ 10V
功率 - 最大446mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-563F
包装带卷 (TR)

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