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FDZ209N_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：4 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.08 Ohms
配置	Single Hex Drain Quint Source	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	BGA
封装	Reel	下降时间	8 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	12 S	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2 W	上升时间	4 ns
典型关闭延迟时间	15 ns

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